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Intel发明全新MESO逻辑器件:能耗降低最多30倍

发布时间:2019-01-12 13:18:49 已有: 人阅读

  随着半导体工艺的日益复杂化,如何延续摩尔定律一直是行业热门话题,不少人直言这个定律即将甚至已经终结,而作为半导体行业领军巨头,Intel一直在不断探索新的材料、技术和工艺,持续推进摩尔定律。

  12月3日,权威的《自然》杂志发表了一篇有关下一代逻辑器件(Logic devices)的研究论文,作者包括Intel、加州大学伯克利分校、劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。

  这篇论文描述了一种由Intel发明的磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件,相比目前最常用的互补金属氧化物半导体(CMOS),MESO器件结合了超低休眠状态功率,有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍,并考虑到了未来计算所需的关于存储器、互连线和逻辑的要求。

  目前,Intel已经做出了该MESO器件的原型,采用的是在室温下呈现新兴量子行为的量子材料,以及由材料科学家Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料他目前就任于加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室。

  在探求不断更新半导体工艺、微缩CMOS的同时,Intel一直在研究超越CMOS时代的未来十年即将出现的计算逻辑选项,推动计算能效提升,并跨越不同的计算架构促进性能增长。

  Intel资深院士兼技术与制造事业部探索性集成电路组总监Ian Young表示:“我们正在研究超越CMOS时代的计算方案,寻求性而不是演进性的突破。MESO以低压互连和低压磁电为基础,将量子材料创新与计算结合在一起。我们对已经取得的进展感到非常兴奋,并期待着发挥其潜力,未来做出进一步降低翻转电压的演示。”

  Intel功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家Sasikanth Manipatruni表示:“MESO器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性,并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术,还需要进行更多开发。”

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